Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
一种高居里温度FeSe薄膜的制备方法 (发明) | |
冯秋菊; 申德振; 张吉英; 吕有明; 范希武; 李炳生 | |
2005-11-16 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2012-08-29 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 本发明涉及用低压MOCVD设备制备磁性薄膜的方法。首先放入清洗好的半绝缘衬底,在机械泵和低压控制器作用下将生长室压力控制在2.0×10↑[3]Pa-10↑[4]Pa,依次在生长室内通入由高纯氢气携带的反应源,生长温度为250℃-350℃,生长时间为30分钟,即可在低压的条件下完成FeSe薄膜的生长。本发明利用低压金属有…… |
资助项目 | 1696339 |
申请号 | 200510016817.9 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11043 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯秋菊,申德振,张吉英,等. 一种高居里温度FeSe薄膜的制备方法 (发明)[P]. 2005-11-16. |
条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN200500169633900000(360KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[冯秋菊]的文章 |
[申德振]的文章 |
[张吉英]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[冯秋菊]的文章 |
[申德振]的文章 |
[张吉英]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[冯秋菊]的文章 |
[申德振]的文章 |
[张吉英]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论