用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜 (发明)

	用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜 (发明)
	刘益春; 吕有明; 刘玉学; 张吉英; 申德振; 范希武
	2003-10-15
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2003-10-15
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及制备微电子介电层、光电子材料与器件保护层、介电层的生长方法。用电子回旋共振微波等离子体技术，适合于单晶Ｓｉ衬底片，在一定微波功率条件下，通过调整［Ｎ↓［２］］／［Ａｒ］气体流速比，气压和生长时间控制薄膜厚度，在低温下生长超薄ＳｉＮ薄膜。本发明对硅衬底片无需再加热，可实现低温生长，克服高温ＣＶＤ易引起杂质再分布……
资助项目	1124364
申请号	1138794.7
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11042
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	刘益春,吕有明,刘玉学,等. 用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜 (发明)[P]. 2003-10-15.