中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法 (发明)
	张吉英; 范希武; 赵晓薇; 刘益春
	2002-08-21
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于硅基半导体微电子材料技术领域，利用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）在低压状态下，由高频感应在生长室内产生强的等离子体放电轰击Ｓｉ衬底表面，等离子体轰击Ｓｉ表面温度低，使Ｓｉ表面氧化物在低温度下即可分解，实现去除Ｓｉ表面氧化层作用。提供一种在低真空、在低温下对硅表面氧化物的去除和／或外延生长方法。实现了等离子……
资助项目	1365139
申请号	1116432.8
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11040
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	张吉英,范希武,赵晓薇,等. 在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法 (发明)[P]. 2002-08-21.

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CN200200136513900000（210KB）			开放获取	--	浏览 下载

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