中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	低温下用磁控溅射技术制备无应力氧氮硅薄膜 (发明)
	刘益春; 吕有明; 刘玉学; 张吉英; 申德振; 范希武
	2002-08-14
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及制备微电子介电层、光电子材料与器件保护层、介电层。在Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］薄膜中掺入适量的ＳｉＯ↓［２］，再利用磁控溅射技术，通过调节射频功率、气压和Ｎ↓［２］／Ｏ↓［２］的气体流速比，在低温条件下制备出无应力ａ－ＳｉＯ↓［ｘ］Ｎ↓［ｙ］薄膜。本发明实现超厚保护膜的生长，以满足光电子器件绝缘层、保护层等方面的……
资助项目	1363717
申请号	1138795.5
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11036
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	刘益春,吕有明,刘玉学,等. 低温下用磁控溅射技术制备无应力氧氮硅薄膜 (发明)[P]. 2002-08-14.

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CN200200136371700000（172KB）			开放获取	--	浏览 下载

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