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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy 期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 卷号: 62, 期号: 6, 页码: 6
作者:  Kai, CuiHong;  Sun, XiaoJuan;  Jia, YuPing;  Shi, ZhiMing;  Jiang, Ke;  Ben, JianWei;  Wu, You;  Wang, Yong;  Liu, HeNan;  Li, XiaoHang;  Li, DaBing
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pit defects  surface potential  electron concentration  
Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14, 期号: 1
作者:  Ben,Jianwei;  Sun,Xiaojuan;  Jia,Yuping;  Jiang,Ke;  Shi,Zhiming;  Wu,You;  Kai,Cuihong;  Wang,Yong;  Luo,Xuguang;  Feng,Zhe Chuan;  Li,Dabing
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Refractive index  AlN  Threading dislocation density  Nanoscale strain field around dislocations  
量子随机数高斯噪声信号发生器 期刊论文
光学精密工程, 2019, 卷号: 27, 期号: 07, 页码: 1492-1499
作者:  余恒炜;  孙晓娟;  王星辰;  蒋科;  吴忧;  程东碧;  石芝铭;  贾玉萍;  黎大兵
caj(805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：248/40  |  提交时间：2020/08/24
高斯噪声  单光子  随机数源  幅度谱  功率谱