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The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Wu, Y.;  Kai, C. H.;  Li, D. B.
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light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography  
Room-temperature electrically pumped InGaN-based microdisk laser grown on Si 期刊论文
Optics Express, 2018, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5043-5051
作者:  Feng, M. X.;  He, J. L.;  Sun, Q.;  Gao, H. W.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y.;  Liu, J. P.;  Zhang, S. M.;  Li, D. Y.;  Zhang, L. Q.;  Sun, X. J.;  Li, D. B.;  Wang, H. B.;  Ikeda, M.;  Wang, R. X.;  Yang, H.
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high-power  gan  diodes  Optics  
The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD 期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Jiang, H.;  Li, Z. M.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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threading dislocations  nucleation layer  gan  temperature  sapphire  Materials Science  Physics  
Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Wang, J.;  Zhou, R.;  Sun, Q.;  Sun, X. J.;  Li, D. B.;  Gao, H. W.;  Zhou, Y.;  Zhang, S. M.;  Li, D. Y.;  Zhang, L. Q.;  Liu, J. P.;  Wang, H. B.;  Ikeda, M.;  Zheng, X. H.;  Yang, H.
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AlGaN  near-ultraviolet  laser  Si substrate  stress  defect  light-emitting-diodes  gan  efficiency  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics  
Review of improved spectral response of ultraviolet photodetectors by surface plasmon 期刊论文
Chinese Physics B, 2018, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 11
作者:  Wu, Y.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Li, D. B.
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detectors  surface plasmonic  GaN  ultraviolet  resonance spectroscopy  aluminum  enhancement  detectors  losses  array  gan  Physics  
Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7527-7531
作者:  Fu, Y. H.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jiang, K.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. A.;  Li, Z. M.;  Li, D. B.
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GaN  MOCVD  Defects  V-Pits  raman-scattering  quantum-wells  nitrides  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.
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zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics  
Molecular gated-AlGaNGaN high electron mobility transistor for pH detection 期刊论文
Analyst, 2018, 卷号: 143, 期号: 12, 页码: 2784-2789
作者:  Ding, X. Z.;  Yang, S.;  Miao, B.;  Gu, L.;  Gu, Z. Q.;  Zhang, J.;  Wu, B. J.;  Wang, H.;  Wu, D. M.;  Li, J. D.
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field-effect transistors  gan surfaces  sensors  ion  deposition  stability  insulator  films  acid  Chemistry  
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文
Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6
作者:  Sun, Y.;  Zhou, K.;  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y.;  Sun, Q.;  Liu, J. P.;  Zhang, L. Q.;  Li, D. Y.;  Sun, X. J.;  Li, D. B.;  Zhang, S. M.;  Ikeda, M.;  Yang, H.
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x-ray-diffraction  high-power  gan  dislocation  relaxation  films  Optics