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The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Wu, Y.;  Kai, C. H.;  Li, D. B.
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