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航空相机镜间快门对像移的影响分析（英文） 期刊论文
中国光学, 2020, 卷号: 13, 期号: 03, 页码: 616-626
作者:  于春风;  陈志超;  贾平;  王乃详;  候汉
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镜间快门  像移量  曝光时间  像移残差  像移补偿  
1045 nm purely gain coupled semiconductor laser based on periodic electric injection 期刊论文
Journal of Luminescence, 2020, 卷号: 225, 页码: 7
作者:  D. Z. Ma, Y. Y. Chen, Y. X. Lei, P. Jia, F. Gao, Y. G. Zeng, L. Liang, Y. Song, C. K. Ruan, X. Liu, L. Qin, Y. Q. Ning and L. J. Wang
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Carrier Dynamic Investigations of AlGaInAs Quantum Well Revealed by Temperature-Dependent Time-Resolved Photoluminescence 期刊论文
Materials, 2020, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 10
作者:  Y. Song,Y. Y. Chen,L. G. Zhang,Y. G. Zeng,C. Qiu,L. Liang,Y. X. Lei,P. Jia,L. Qin,Y. Q. Ning and L. J. Wang
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Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6
作者:  C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li
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Enhancement mechanisms of Tm3+-codoping on 2 mu m emission in Ho3+ doped fluoroindate glasses under 888 nm laser excitation 期刊论文
Ceramics International, 2020, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 6973-6977
作者:  R. C. Wang,H. Y. Zhao,M. Zhang,J. Q. Zhang,S. J. Jia,J. Zhang,H. Y. Peng,G. Brambilla,S. B. Wang and P. F. Wang
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大功率半导体激光器发展及相关技术概述 期刊论文
光学学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 01, 页码: 191-200
作者:  宁永强;  陈泳屹;  张俊;  宋悦;  雷宇鑫;  邱橙;  梁磊;  贾鹏;  秦莉;  王立军
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激光器  半导体激光器  大功率  芯片技术  合束技术  
Analysis of the effect of lens shutter on image motion in aerial camera 期刊论文
Chinese Optics, 2020, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 616-626
作者:  C.-F. Yu, Z.-C. Chen, P. Jia, N.-X. Wang and H. Hou
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Finite-Time Control for Piezoelectric Actuators With a High-Order Terminal Sliding Mode Enhanced Hysteresis Observer 期刊论文
Ieee Access, 2020, 卷号: 8, 页码: 223931-223940
作者:  X. Che,D. P. Tian,R. Xu and P. Jia
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Terminal Sliding Mode Control with a Novel Reaching Law and Sliding Mode Disturbance Observer for Inertial Stabilization Imaging Sensor 期刊论文
Sensors, 2020, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 18
作者:  X. Che,D. P. Tian,P. Jia,Y. Gao and Y. Ren
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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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