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| GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者: 王新建; 宋航 ; 黎大兵; 蒋红; 李志明; 缪国庆; 陈一仁; 孙晓娟
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Aln Gan缓冲层 晶体结构 晶粒尺寸 |
| SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 08, 页码: 879-882
作者: 贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明
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Sio2纳米颗粒 A-algan Msm紫外探测器 |
| 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-07-25, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 李志明; 孙晓娟; 宋航; 黎大兵; 陈一仁; 缪国庆; 蒋红
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| 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 07, 页码: 768-773
作者: 王新建; 宋航; 黎大兵; 蒋红; 李志明; 缪国庆; 陈一仁; 孙晓娟
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杂质 氮化物 热扩散 |
| 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 581-585
作者: 贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明
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A-gan 各向异性 拉曼散射光谱 残余应变 |
| 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-06-13, 公开日期: 2012-06-13
发明人: 李志明; 孙晓娟; 宋航; 黎大兵; 陈一仁; 缪国庆; 蒋红
Adobe PDF(389Kb) | 收藏 | 浏览/下载：506/66 | 提交时间：2012/08/29 |
| 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-06-13, 公开日期: 2012-06-13
发明人: 李志明; 孙晓娟; 宋航; 黎大兵; 陈一仁; 缪国庆; 蒋红
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| AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 05, 页码: 519-524
作者: 贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明
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A-algan Aln插入层 应力 拉曼光谱 光致发光 |
| 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 02, 页码: 227-232
作者: 王新建; 宋航; 黎大兵; 蒋红; 李志明; 缪国庆; 孙晓娟; 陈一仁; 贾辉
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晶体结构 光吸收 表面形貌 |
| 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 01, 页码: 82-87
作者: 贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明
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金属有机物气相沉积 Aln 预通三甲基铝(Tmal) 应力 |
