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2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀) 期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 196-200
作者:  李翔;  汪宏;  乔忠良;  张宇;  牛智川;  佟存柱;  刘重阳
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半导体锁模激光器  重复频率  GaSb基材料  2μm波段  
Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者:  Li Xiang;  Wang Hong;  Qiao Zhongliang;  Zhang Yu;  Xu Yingqiang;  Niu Zhichuan;  Tong Cunzhu;  Liu Chongyang
浏览  |  Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：350/99  |  提交时间：2019/09/17
Gallium compounds  Antimony compounds  III-V semiconductors  Indium antimonides  Quantum well lasers  Semiconductor lasers  Semiconductor quantum wells  
2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 期号: 05, 页码: 10-14
作者:  李翔;  汪宏;  乔忠良;  张宇;  徐应强;  牛智川;  佟存柱;  刘重阳
收藏  |  浏览/下载：244/0  |  提交时间：2019/09/17
半导体激光器  理想因子n  单量子阱