中文版 | English

在结果中检索

CIOMP OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission 期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1996, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 189-191
作者:  Liang J. C.;  Zhao J. L.;  Gao Y.;  Dou K.;  Huang S. H.;  Yu J. Q.;  Gao H. K.
Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：493/114  |  提交时间：2012/10/21
STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS 期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1995, 卷号: 14, 期号: 14, 页码: 1004-1006
作者:  Zhao J. L.;  Gao Y.;  Liu X. Y.;  Dou K.;  Huang S. H.;  Yu J. Q.;  Liang J. C.;  Gao H. K.
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：591/133  |  提交时间：2012/10/21
STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION 期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1994, 卷号: 13, 期号: 23, 页码: 1694-1696
作者:  Zhao J. L.;  Gao Y.;  Liu X. Y.;  Su X. A.;  Huang S. H.;  Yu J. Q.;  Liang J. C.;  Gao H. K.
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：462/86  |  提交时间：2012/10/21
TEMPERATURE-DEPENDENCE OF DEEP-LEVEL PHOTOLUMINESCENCE IN GA0.5IN0.5P EPILAYERS GROWN BY METAL ORGANIC-CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION 期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1993, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 53-55
作者:  Zhao J. L.;  Gao Y.;  Gu T. G.;  Sutton M.;  Liang J. C.
Adobe PDF(657Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：404/54  |  提交时间：2013/03/27
CORRELATION BETWEEN DEEP-LEVEL PHOTOLUMINESCENCE AND ORDERED STRUCTURE IN GA0.5IN0.5P EPILAYERS 期刊论文
Journal of Materials Science Letters, 1993, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 355-356
作者:  Liang J. C.;  Gao Y.;  Zhao J. L.
Adobe PDF(186Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：381/60  |  提交时间：2012/10/21