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2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀) 期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 196-200
作者:  李翔;  汪宏;  乔忠良;  张宇;  牛智川;  佟存柱;  刘重阳
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半导体锁模激光器  重复频率  GaSb基材料  2μm波段  
教室健康照明设计的研究与应用 期刊论文
照明工程学报, 2020, 卷号: 31, 期号: 06, 页码: 81-84
作者:  阮程;  黄耀伟;  张鑫;  汪洋
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光健康指标  视觉健康度和舒适度  光环境  设计策略  
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
1160nm光泵垂直外腔面发射激光器设计及制备 期刊论文
中国激光, 2020, 卷号: 47, 期号: 07, 页码: 261-268
作者:  张卓;  宁永强;  张建伟;  张继业;  曾玉刚;  张俊;  张星;  周寅利;  黄佑文;  秦莉;  刘云;  王立军
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激光物理  半导体激光器  光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器  增益芯片  应变量子阱  
高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备 期刊论文
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 05, 页码: 91-99
作者:  张继业;  张建伟;  曾玉刚;  张俊;  宁永强;  张星;  秦莉;  刘云;  王立军
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光抽运垂直外腔面发射半导体激光器  量子阱  增益芯片  高功率  
Application of nanoparticles in cast steel: An overview 期刊论文
China Foundry, 2020, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 111-126
作者:  F. Qiu, T. S. Liu, X. Zhang, F. Chang, S. L. Shu, H. Y. Yang, Q. L. Zhao and Q. C. Jiang
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Bication-Mediated Quasi-2D Halide Perovskites for High-Performance Flexible Photodetectors: From Ruddlesden-Popper Type to Dion-Jacobson Type 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2020, 卷号: 12, 期号: 35, 页码: 39567-39577
作者:  Z. X. Lai, R. T. Dong, Q. Zhu, Y. Meng, F. Wang, F. Z. Li, X. M. Bu, X. L. Kang, H. Zhang, Q. Quan, W. Wang, F. Wang, S. Yip and J. C. Ho
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Accurate estimation of transmission maps for image restoration based on polarimetric parameters and average intensity 期刊论文
Optik, 2020, 卷号: 208, 页码: 7
作者:  Y. N. Lu, M. F. Xu, S. Q. Jia, Y. D. Zheng, X. F. Zhang and W. Huang
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Band structure engineering through van der Waals heterostructing superlattices oftwo-dimensionaltransition metal dichalcogenides 期刊论文
Infomat, 2020, 卷号: 3, 期号: 2, 页码: 201-211
作者:  X. G. Zhao, Z. M. Shi, X. J. Wang, H. S. Zou, Y. H. Fu and L. J. Zhang
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Boosting the Efficiency and Stability of Perovskite Light-Emitting Devices by a 3-Amino-1-propanol-Tailored PEDOT:PSS Hole Transport Layer 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2020, 卷号: 12, 期号: 38, 页码: 43331-43338
作者:  R. T. Fan, L. Song, Y. S. Hu, X. Y. Guo, X. Y. Liu, L. S. Wang, C. Geng, S. Xu, Y. H. Zhang, Z. H. Zhang, N. N. Luan and W. G. Bi
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