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| High-performance broadband photodetector based on PdSe2/black phosphorus heterodiode 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 120, 期号: 23, 页码: 6
作者: Q. S. Dong; F. Wang; X. Hu; Y. Lu; D. X. Zhao; M. Zhang; T. Han; X. Y. Hou; S. L. Wang; M. S. Long and L. Shan
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| Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6
作者: Gai Y. Q.; Yao B.; Wei Z. P.; Li Y. F.; Lu Y. M.; Shen D. Z.; Zhang J. Y.; Zhao D. X.; Fan X. W.; Li J. B.; Xia J. B.
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| Valence-band offset of epitaxial ZnO/MgO (111) heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 19
作者: Li Y. F.; Yao B.; Lu Y. M.; Li B. H.; Gai Y. Q.; Cong C. X.; Zhang Z. Z.; Zhao D. X.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| Valence-band offset of epitaxial ZnOMgO (111) heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 19
作者: Li Y. F.; Yao B.; Lu Y. M.; Li B. H.; Gai Y. Q.; Cong C. X.; Zhang Z. Z.; Zhao D. X.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| Characterization of biaxial stress and its effect on optical properties of ZnO thin films 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 2
作者: Li Y. F.; Yao B.; Lu Y. M.; Cong C. X.; Zhang Z. Z.; Gai Y. Q.; Zheng C. J.; Li B. H.; Wei Z. P.; Shen D. Z.; Fan X. W.; Xiao L.; Xu S. C.; Liu Y.
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| Realization of p-type conduction in undoped Mg(x)Zn(1-x)O thin films by controlling Mg content 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 23
作者: Li Y. F.; Yao B.; Lu Y. M.; Wei Z. P.; Gai Y. Q.; Zheng C. J.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Shen D. Z.; Fan X. W.; Tang Z. K.
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| A direct first principles study on the structure and electronic properties of BexZn1-xO 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 12
作者: Fan X. F.; Zhu Z.; Ong Y. S.; Lu Y. M.; Shen Z. X.; Kuo J. L.
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| Modified photoluminescence properties of rare-earth complex/polymer composite fibers prepared by electrospinning 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 10
作者: Zhang H.; Song H. W.; Yu H. Q.; Li S. W.; Bai X.; Pan G. H.; Dai Q. L.; Wang T.; Li W. L.; Lu S. Z.; Ren X. G.; Zhao H. F.; Kong X.
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