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The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Wu, Y.;  Kai, C. H.;  Li, D. B.
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light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography  
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:  Ben, J. W.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Jiang, K.;  Shi, Z. M.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Kai, C. H.;  Wu, Y.;  Li, D. B.
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light-emitting-diodes  high-quality aln  growth  temperature  sapphire  algan  efficiency  ratio  Chemistry  Crystallography  
Relationship between dislocations and misfit strain relaxation in InGaAs/GaAs heterostructures 期刊论文
Crystengcomm, 2017, 卷号: 19, 期号: 1
作者:  Li, J. P.;  G. Q. Miao;  Y. G. Zeng;  Z. W. Zhang;  D. B. Li;  H. Song;  H. Jiang;  Y. R. Chen;  X. J. Sun and Z. M. Li
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Hierarchical core/shell ZnO/NiO nanoheterojunctions synthesized by ultrasonic spray pyrolysis and their gas-sensing performance 期刊论文
Crystengcomm, 2016, 卷号: 18, 期号: 41
作者:  Li, D.;  Y. Q. Zhang;  D. Y. Liu;  S. T. Yao;  F. M. Liu;  B. A. Wang;  P. Sun;  Y. A. Gao;  X. H. Chuai and G. Y. Lu
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Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN 期刊论文
Crystengcomm, 2014, 卷号: 16, 期号: 34, 页码: 8058-8063
作者:  Liu X. T.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Li Z. M.;  Song H.;  Jiang H.;  Chen Y. R.
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In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2013, 卷号: 15, 期号: 30
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Zhang Z. W.
Adobe PDF(1288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：393/82  |  提交时间：2014/05/14