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Synthesis of Multilayer InSe0.82Te0.18 alloy for high performance near-infrared photodetector 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 815, 页码: 6
作者:  M. M. Yu,H. Li,F. Gao,Y. X. Hu,L. F. Wang,P. G. Hu and W. Feng
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Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering