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一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-01-11, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  单崇新;  申赫;  于吉;  刘兴宇;  王双鹏;  李炳辉;  申德振
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制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO*薄膜的方法 （发明） 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 1300096, 申请日期: 2001-06-20, 公开日期: 2012-09-14
发明人:  索辉;  刘云;  王立军;  王庆亚;  向思清;  朱玉梅;  王兢
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