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正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-06-13, 公开日期: 2012-06-13
发明人:  李志明;  孙晓娟;  宋航;  黎大兵;  陈一仁;  缪国庆;  蒋红
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