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Synthesis of Two-Dimensional Alloy Ga0.84In0.16Se Nanosheets for High-Performance Photodetector 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 50, 页码: 43299-43304
作者:  Yu, M. M.;  Li, H.;  Liu, H.;  Qin, F. L.;  Gao, F.;  Hu, Y. X.;  Dai, M. J.;  Wang, L. F.;  Feng, W.;  Hu, P. A.
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Ga0.84In1.86Se  alloy engineering  photodetectors  two-dimensional  materials  III-VI group semiconductors  temperature  gase  inse  deposition  graphene  mobility  growth  films  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  
Influencing Mechanism of the Selenization Temperature and Time on the Power Conversion Efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)(4)-Based Solar Cells 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2016, 卷号: 8, 期号: 27
作者:  Xiao, Z. Y.;  B. Yao;  Y. F. Li;  Z. H. Ding;  Z. M. Gao;  H. F. Zhao;  L. G. Zhang;  Z. Z. Zhang;  Y. R. Sui and G. Wang
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High-Performance Organic Small-Molecule Panchromatic Photodetectors 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2015, 卷号: 7, 期号: 4, 页码: 2529-2534
作者:  Su, Z. S.;  F. H. Hou;  X. Wang;  Y. Gao;  F. M. Jin;  G. Zhang;  Y. T. Li;  L. G. Zhang;  B. Chu and W. L. Li
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Graphene Surface Plasmon Induced Optical Field Confinement and Lasing Enhancement in ZnO Whispering-Gallery Microcavity 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 13, 页码: 10469-10475
作者:  Li J. T.;  Xu C. X.;  Nan H. Y.;  Jiang M. M.;  Gao G. Y.;  Lin Y.;  Dai J.;  Zhu G. Y.;  Ni Z. H.;  Wang S. F.;  Li Y.
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Efficient Triplet Application in Exciplex Delayed-Fluorescence OLEDs Using a Reverse Intersystem Crossing Mechanism Based on a Delta ES-T of around Zero 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 15, 页码: 11907-11914
作者:  Zhang T. Y.;  Chu B.;  Li W. L.;  Su Z. S.;  Peng Q. M.;  Zhao B.;  Luo Y. S.;  Jin F. M.;  Yan X. W.;  Gao Y.;  Wu H. R.;  Zhang F.;  Fan D.;  Wang J. B.
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Humidity-Sensing Properties of Urchin like CuO Nanostructures Modified by Reduced Graphene Oxide 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 6, 页码: 3888-3895
作者:  Wang Z. Y.;  Xiao Y.;  Cui X. B.;  Cheng P. F.;  Wang B.;  Gao Y.;  Li X. W.;  Yang T. L.;  Zhang T.;  Lu G. Y.
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