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Relationship between dislocations and misfit strain relaxation in InGaAs/GaAs heterostructures 期刊论文
Crystengcomm, 2017, 卷号: 19, 期号: 1
作者:  Li, J. P.;  G. Q. Miao;  Y. G. Zeng;  Z. W. Zhang;  D. B. Li;  H. Song;  H. Jiang;  Y. R. Chen;  X. J. Sun and Z. M. Li
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Experiments and analysis of the two-step growth of InGaAs on GaAs substrate 期刊论文
Crystengcomm, 2015, 卷号: 17, 期号: 30, 页码: 5808-5813
作者:  Li, J. P.;  G. Q. Miao;  Z. W. Zhang and Y. G. Zeng
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Extended spectral response in In0.82Ga0.18As/InP photodetector using InP as a window layer grown by MOCVD 期刊论文
Crystengcomm, 2013, 卷号: 15, 期号: 42
作者:  Miao G. Q.;  Zhang T. M.;  Zhang Z. W.;  Jin Y. X.
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In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2013, 卷号: 15, 期号: 30
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Zhang Z. W.
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