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MOCVD growth of MgGa2O4 thin films for high-performance solar-blind UV photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 120, 期号: 1, 页码: 6
作者:  Q. C. Hou;  K. W. Liu;  D. Y. Han;  Y. X. Zhu;  X. Chen;  B. H. Li;  L. Liu and D. Z. Shen
Adobe PDF(5122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：100/32  |  提交时间：2023/06/14
Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5
作者:  K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong
Adobe PDF(1812Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：113/39  |  提交时间：2021/07/06
Possible n/p-type conductivity of two-dimensional graphene oxide by boron and nitrogen doping: Evaluated via constrained excitation 期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 20
作者:  Wang, D.;  D. Han;  X. B. Li;  S. Y. Xie;  N. K. Chen;  W. Q. Tian;  S. B. Zhang and H. B. Sun
浏览  |  Adobe PDF(1604Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：279/59  |  提交时间：2017/09/11
Realization of unbiased photoresponse in amorphous InGaZnO ultraviolet detector via a hole-trapping process 期刊论文
Applied Physics Letters, 2015, 卷号: 106, 期号: 17, 页码: 5
作者:  Jiang, D. L.;  L. Li;  H. Y. Chen;  H. Gao;  Q. Qiao;  Z. K. Xu and S. J. Jiao
浏览  |  Adobe PDF(1478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：329/56  |  提交时间：2016/07/15
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
浏览  |  Adobe PDF(1846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：359/98  |  提交时间：2015/04/24
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:  You K.;  Jiang H.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Liu H. B.
Adobe PDF(897Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：666/104  |  提交时间：2012/10/21
Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：448/106  |  提交时间：2012/10/21
Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
Adobe PDF(782Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：501/134  |  提交时间：2012/10/21
Intramolecular energy transfer between the triplet of ancillary ligand and the metal to ligand charge transfer state existed in heterocyclometalated iridium (III) complexes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16
作者:  Han L. L.;  Yang D. F.;  Li W. L.;  Chu B.;  Chen Y. R.;  Su Z. S.;  Zhang D. Y.;  Yan F.;  Wu S. H.;  Wang J. B.;  Hu Z. Z.;  Zhang Z. Q.
Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：557/125  |  提交时间：2012/10/21
The reduced triplet-triplet annihilation of electrophosphorescent device doped by an iridium complex with active hydrogen 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15
作者:  Han L. L.;  Yang D. F.;  Li W. L.;  Chu B.;  Chen Y.;  Su Z. S.;  Zhang D. Y.;  Yan F.;  Hu Z. Z.;  Zhang Z. Q.
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