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Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices 期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:  Liu, T.;  Xiang, D.;  Zheng, Y.;  Wang, Y. A.;  Wang, X. Y.;  Wang, L.;  He, J.;  Liu, L.;  Chen, W.
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homogeneous p-n junctions and inverters  MoTe2/BN heterostructures  nonvolatile and programmable  photodoping in MoTe2 devices  photoresist-free  transition-metal dichalcogenides  black phosphorus  mos2  wse2  inverters  graphene  diodes  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Thickness and stacking geometry effects on high frequency overtone and combination Raman modes of graphene 期刊论文
Journal of Raman Spectroscopy, 2013, 卷号: 44, 期号: 1
作者:  Li D. F.;  Zhan D.;  Yan J. X.;  Sun C. L.;  Li Z. W.;  Ni Z. H.;  Liu L.;  Shen Z. X.
Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：390/72  |  提交时间：2014/05/14
Spin-Orbit Splitting in Single-Layer MoS2 Revealed by Triply Resonant Raman Scattering 期刊论文
Physical Review Letters, 2013, 卷号: 111, 期号: 12
作者:  Sun L. F.;  Yan J. X.;  Zhan D.;  Liu L.;  Hu H. L.;  Li H.;  Tay B. K.;  Kuo J. L.;  Huang C. C.;  Hewak D. W.;  Lee P. S.;  Shen Z. X.
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High pressure synthesis and characterization of noble metal nitride IrNx 期刊论文
Materials Letters, 2013, 期号: 107
作者:  Ding Z.;  Qiu L.;  Li Y.;  Zheng D.;  Yao B.;  Liu L.;  Zheng W.;  Liu X.
Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：480/118  |  提交时间：2014/05/14