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Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Wang, J.;  Zhou, R.;  Sun, Q.;  Sun, X. J.;  Li, D. B.;  Gao, H. W.;  Zhou, Y.;  Zhang, S. M.;  Li, D. Y.;  Zhang, L. Q.;  Liu, J. P.;  Wang, H. B.;  Ikeda, M.;  Zheng, X. H.;  Yang, H.
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AlGaN  near-ultraviolet  laser  Si substrate  stress  defect  light-emitting-diodes  gan  efficiency  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics  
The influence of type-I and type-II triplet multiple quantum well structure on white organic light-emitting diodes 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2013, 卷号: 8, 期号: 1
作者:  Zhao B.;  Su Z.;  Li W.;  Chu B.;  Jin F.;  Yan X.;  Zhang T.;  Zhang F.;  Fan D.;  Gao Y.;  Wang J.;  Pi H.;  Zhu J.
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Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2011, 卷号: 6
作者:  Shi K.;  Li D. B.;  Song H. P.;  Guo Y.;  Wang J.;  Xu X. Q.;  Liu J. M.;  Yang A. L.;  Wei H. Y.;  Zhang B.;  Yang S. Y.;  Liu X. L.;  Zhu Q. S.;  Wang Z. G.
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