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制备p型氧化锌半导体体材料的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
发明人:  秦杰明;  姚斌;  张吉英;  申德振;  赵东旭;  张振中;  李炳辉
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制备单一立方相结构的MgxZn1-xO半导体合金体材料的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2010-11-10, 公开日期: 2010-11-10
发明人:  秦杰明;  张吉英;  姚斌;  申德振;  赵东旭;  张振中;  李炳辉
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立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2010-09-22, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  王立昆;  张吉英;  郑剑;  单崇新;  申德振;  姚斌;  赵东旭;  李炳辉;  张振中
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一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2009-12-02
发明人:  蒋大勇;  张吉英;  申德振;  姚斌;  赵东旭;  张振中
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制备太阳盲紫外探测器的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2009-12-02
发明人:  鞠振刚;  张吉英;  单崇新;  申德振;  姚斌;  赵东旭;  张振中;  李炳辉
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制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  秦杰明;  姚斌;  张吉英;  申德振;  赵东旭;  张振中;  李炳辉
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一种电子束蒸发生长Mg*Zn***O薄膜的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  张吉英;  赵延民;  吕有明;  申德振;  张振中;  李柄辉;  姚斌;  赵东旭;  范希武
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一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  张吉英;  刘可为;  蒋大勇;  申德振;  赵东旭;  吕有明;  姚斌;  张振中;  李炳辉
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半导体激光头泵浦源用微通道热沉结构及制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2008-02-20
发明人:  尧舜;  王立军;  刘云;  张彪;  姚迪;  王超
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粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2007-06-27, 公开日期: 2007-06-27
发明人:  尧舜;  王立军;  刘云;  张彪;  姚迪;  王超
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