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p-type conductivity and donor-acceptor pair emission in Cd1-xFexS dilute magnetic semiconductors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 26
作者:  Wu X. J.;  Shen D. Z.;  Zhang Z. Z.;  Zhang J. Y.;  Liu K. W.;  Li B. H.;  Lu Y. M.;  Zhao D. X.;  Yao B.
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Control of structure, conduction behavior, and band gap of Zn1-xMgxO films by nitrogen partial pressure ratio of sputtering gases 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 26
作者:  Cong C. X.;  Yao B.;  Xing G. Z.;  Xie Y. P.;  Guan L. X.;  Li B. H.;  Wang X. H.;  Wei Z. P.;  Zhang Z. Z.;  Lv Y. M.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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ZnO p-n junction light-emitting diodes fabricated on sapphire substrates 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 3
作者:  Jiao S. J.;  Zhang Z. Z.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Yao B.;  Zhang J. Y.;  Li B. H.;  Zhao D. X.;  Fan X. W.;  Tang Z. K.
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Hole transport in p-type ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 23
作者:  Sun J. W.;  Lu Y. M.;  Liu Y. C.;  Shen D. Z.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Yao B.;  Zhao D. X.;  Fan X. W.
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Formation of p-type MgZnO by nitrogen doping 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 10
作者:  Wei Z. P.;  Yao B.;  Zhang Z. Z.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Li B. H.;  Wang X. H.;  Zhang J. Y.;  Zhao D. X.;  Fan X. W.
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