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Charged defects in two-dimensional semiconductors of arbitrary thickness and geometry: Formulation and application to few-layer black phosphorus 期刊论文
Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 15
作者:  Wang, D.;  D. Han;  X. B. Li;  N. K. Chen;  D. West;  V. Meunier;  S. B. Zhang and H. B. Sun
浏览  |  Adobe PDF(1327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：312/88  |  提交时间：2018/06/13