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Probing into the effect of Auger recombination mechanism on zero bias resistancearea product in In1-xGaxAs detector 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 24, 页码: 1953-1957
作者:  Chang Y.;  Shi B.;  Li L.;  Yin J.;  Gao F.;  Du G.;  Jin Y.
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Probing into the effect of Auger recombination mechanism on zero bias resistance-area product in In1-xGaxAs detector 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 24, 页码: 1953-1957
作者:  Chang Y. C.;  Shi B.;  Li L. H.;  Yin J. Z.;  Gao F. B.;  Du G. T.;  Jin Y. X.
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Exciton tunnelling in ZnCdSe quantum well/CdSe quantum dots 期刊论文
Solid State Communications, 2004, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 653-655
作者:  Jin H.;  Zhang L. G.;  Zheng Z. H.;  Kong X. G.;  Shen D. Z.
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Deep level transient spectroscopy of vertically stacked InAs/Al0.5Ga0.5As self-assembled quantum dots 期刊论文
Solid State Communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 10, 页码: 563-566
作者:  Li S. W.;  Koike K.;  Sasa S.;  Inoue M.;  Yano M.;  Jin Y. X.
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Laser action in ZnCdSe/ZnSe asymmetric double-quantum-well 期刊论文
Solid State Communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 3, 页码: 127-130
作者:  Yu G. Y.;  Fan X. W.;  Zhang J. Y.;  Yang B. J.;  Zhao X. W.;  Shen D. Z.
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Carrier tunneling in a novel asymmetric quantum well structure 期刊论文
Solid State Communications, 1999, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 291-294
作者:  Yu G. Y.;  Fan X. W.;  Zhang J.;  Shen D.
Adobe PDF(167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：437/82  |  提交时间：2012/10/21