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Zn vacancies creation via (2 x 2) surface reconstruction 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 卷号: 50, 期号: 32
作者:  Xie, X. H.;  B. H. Li;  Z. Z. Zhang and D. Z. Shen
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Effect of buffer thickness on properties of In0.8Ga0.2As/InP with two-step growth technique 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 472, 期号: 1—2, 页码: 587-590
作者:  Zhang T. M.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Yu S. Z.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
Adobe PDF(619Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：499/95  |  提交时间：2012/10/21
Growth of vertically aligned single crystal ZnO nanotubes by plasma-molecular beam epitaxy 期刊论文
Solid State Communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 4, 页码: 182-186
作者:  Liang H. W.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Li B. H.;  Zhang Z. Z.;  Shan C. X.;  Zhang J. Y.;  Fan X. W.;  Du G. T.
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Atomic force microscopy on the Ga0.16In0.84As0.80Sb0.20 epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Chinese Physics Letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 724-726
作者:  Gao C. X.;  Li S. W.;  Yang J.;  Liu B. B.
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Isotropic growth islands of Ga0.16In0.84As0.80Sb0.20 epilayer grown by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1997, 卷号: 173, 期号: 3—4, 页码: 321-324
作者:  Li S. W.;  Jin Y. X.;  Gao C. X.;  Jin Z. S.
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