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Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering  
Improved field emission performance of carbon nanotube by introducing copper metallic particles 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 537-541
作者:  Chen YR(陈一仁);  Jiang H(蒋红);  Li DB(黎大兵);  Song H(宋航);  Li ZM(李志明);  Sun XJ(孙晓娟);  Mou GQ(缪国庆);  Zhao HF(赵海峰)
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