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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
Mo/Si原子高能量沉积中反射和再溅射的研究 期刊论文
光学学报, 2020, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 46-53
作者:  孙诗壮;  金春水;  喻波;  郭涛;  姚舜;  李春;  邓文渊
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原子与分子物理学  分子动力学  反射  再溅射  Mo/Si原子  角度分布  能量分布  
高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备 期刊论文
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 05, 页码: 91-99
作者:  张继业;  张建伟;  曾玉刚;  张俊;  宁永强;  张星;  秦莉;  刘云;  王立军
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光抽运垂直外腔面发射半导体激光器  量子阱  增益芯片  高功率  
Bication-Mediated Quasi-2D Halide Perovskites for High-Performance Flexible Photodetectors: From Ruddlesden-Popper Type to Dion-Jacobson Type 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2020, 卷号: 12, 期号: 35, 页码: 39567-39577
作者:  Z. X. Lai, R. T. Dong, Q. Zhu, Y. Meng, F. Wang, F. Z. Li, X. M. Bu, X. L. Kang, H. Zhang, Q. Quan, W. Wang, F. Wang, S. Yip and J. C. Ho
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AlGaN-based UV-C distributed Bragg reflector with a -cavity designed for an external cavity structure electron-beam-pumped VCSEL 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 820
作者:  Y. R. Chen, Z. W. Zhang, G. Q. Miao, H. Jiang, Z. M. Li and H. Song
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Band structure engineering through van der Waals heterostructing superlattices oftwo-dimensionaltransition metal dichalcogenides 期刊论文
Infomat, 2020, 卷号: 3, 期号: 2, 页码: 201-211
作者:  X. G. Zhao, Z. M. Shi, X. J. Wang, H. S. Zou, Y. H. Fu and L. J. Zhang
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Anisotropic optical phonons in MOCVD grown Si-doped GaN/Sapphire epilayers 期刊论文
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, 2020, 卷号: 260, 页码: 10
作者:  D. N. Talwar, H. H. Lin and Z. C. Feng
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Beam waist shrinkage of high-power broad-area diode lasers by mode tailoring 期刊论文
Optics Express, 2020, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 13131-13140
作者:  J. X. Su, C. X. Tong, L. J. Wang, Y. J. Wang, H. Y. Lu, Z. D. Zhao, J. Wang, S. Y. Tan, S. L. Shu and L. J. Wang
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Carrier Dynamic Investigations of AlGaInAs Quantum Well Revealed by Temperature-Dependent Time-Resolved Photoluminescence 期刊论文
Materials, 2020, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 10
作者:  Y. Song,Y. Y. Chen,L. G. Zhang,Y. G. Zeng,C. Qiu,L. Liang,Y. X. Lei,P. Jia,L. Qin,Y. Q. Ning and L. J. Wang
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Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6
作者:  C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li
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