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| Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957
作者: Y. Chen; H. Zang; S. L. Zhang; Z. M. Shi; J. W. Ben; K. Jiang; Y. P. Jia; M. R. Liu; D. B. Li and X. J. Sun
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| Theoretical analysis and modelling of degradation for III-V lasers on Si 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 40, 页码: 9
作者: J. Z. Liu; M. C. Tang; H. W. Deng; S. Shutts; L. F. Wang; P. M. Smowton; C. Y. Jin; S. M. Chen; A. Seeds and H. Y. Liu
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| Introducing voids around the interlayer of AlN by high temperature annealing 期刊论文
Chinese Physics B, 2022, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 6
作者: J. W. Ben; J. L. Luo; Z. C. Lin; X. J. Sun; X. K. Liu and X. H. Li
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| Mesoparameter Calibration and Macro-Mesoparameter Correlation of Tailing Sand 期刊论文
Geofluids, 2022, 卷号: 2022, 页码: 12
作者: C. B. Du; L. D. Liang; H. L. Cheng; F. Yi and B. Niu
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| Recent Progress on AlGaN Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes below 250 nm 期刊论文
Crystals, 2022, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 23
作者: C. Y. Zhang; K. Jiang; X. J. Sun and D. B. Li
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| Modulation Characteristics of High-Speed Transistor Lasers 期刊论文
Applied Sciences-Basel, 2022, 卷号: 12, 期号: 9, 页码: 21
作者: L. T. Fan; P. Jia; Y. X. Lei; Q. Cui; Y. Y. Chen; L. Qin; L. Liang; C. Qiu; Y. Song; Y. B. Wang; Y. Q. Ning and L. J. Wang
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| Toward Phi 56 mm Al-Polar AlN Single Crystals Grown by the Homoepitaxial PVT Method 期刊论文
Crystal Growth & Design, 2022, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 3462-3470
作者: D. Y. Fu; D. Lei; Z. Li; G. Zhang; J. L. Huang; X. J. Sun; Q. K. Wang; D. B. Li; J. Wang and L. Wu
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| Principles of Selective Area Epitaxy and Applications in III-V Semiconductor Lasers Using MOCVD: A Review 期刊论文
Crystals, 2022, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 28
作者: B. Wang; Y. G. Zeng; Y. Song; Y. Wang; L. Liang; L. Qin; J. W. Zhang; P. Jia; Y. X. Lei; C. Qiu; Y. Q. Ning and L. J. Wang
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| Recent advances in optoelectronic and microelectronic devices based on ultrawide-bandgap semiconductors 期刊论文
Progress in Quantum Electronics, 2022, 卷号: 83, 页码: 29
作者: J. L. Yang; K. W. Liu; X. Chen and D. Z. Shen
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| Processes of the Reliability and Degradation Mechanism of High-Power Semiconductor Lasers 期刊论文
Crystals, 2022, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 26
作者: Y. Song; Z. Y. Lv; J. M. Bai; S. Niu; Z. B. Wu; L. Qin; Y. Y. Chen; L. Liang; Y. X. Lei; P. Jia; X. N. Shan and L. J. Wang
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