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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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出处:Journal of Alloys and Compounds
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WOS被引频次降序
Comparative spectroscopic studies of MOCVD grown AlN films on Al2O3 and 6H-SiC
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2021, 卷号: 857, 期号: 13
作者:
J. H. Yin
;
D. H. Chen
;
H. Yang
;
Y. Liu
;
D. N. Talwar
;
T. L. He
;
I. T. Ferguson
;
K. Y. He
;
L. Y. Wan and Z. C. Feng
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提交时间:2022/06/13
AlGaN-based UV-C distributed Bragg reflector with a -cavity designed for an external cavity structure electron-beam-pumped VCSEL
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 820
作者:
Y. R. Chen, Z. W. Zhang, G. Q. Miao, H. Jiang, Z. M. Li and H. Song
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提交时间:2021/07/06
Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:
X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
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提交时间:2021/07/06
Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440
作者:
S.W.H.Chen
;
H.Y.Wang
;
C.Hu
;
Y.Chen
;
H.Wang
;
J.L.Wang
;
W.He
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提交时间:2020/08/24
Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry
Improved performance of a back-illuminated GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector by in-situ modification of one-dimensional ZnO nanorods on its screw dislocations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 775, 页码: 1213-1220
作者:
Y.P.Chen
;
C.H.Zheng
;
L.Q.Hu
;
Y.R.Chen
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提交时间:2020/08/24
GaN-based ultroviolet photodetectors,ZnO nanorods modification,Screw,dislocation passivation,Photoelectric performance improvement
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
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提交时间:2019/09/17
Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering
Band alignments at interface of Cu2ZnSnS4/ZnO heterojunction: An X-ray photoelectron spectroscopy and first-principles study
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: 628, 页码: 293-297
作者:
Yang, G.
;
Y. F. Li
;
B. Yao
;
Z. H. Ding
;
R. Deng
;
J. M. Qin
;
F. Fang
;
X. Fang
;
Z. P. Wei and L. Liu
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提交时间:2016/07/15
Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As…
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:
宋航
;
缪国庆
;
蒋红
;
黎大兵
;
孙晓娟
;
陈一仁
;
李志明
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提交时间:2012/05/12
Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:
Liu X.
;
Song H.
;
Miao G. Q.
;
Jiang H.
;
Cao L. Z.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Chen Y. R.
;
Li Z. M.
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提交时间:2012/10/21
p-Type MgZnO thin films grown using N delta-doping by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2010, 卷号: 504, 期号: 2, 页码: 484-487
作者:
Liu W. W.
;
Yao B.
;
Li Y. F.
;
Li B. H.
;
Zhang Z. Z.
;
Shan C. X.
;
Zhang J. Y.
;
Shen D. Z.
;
Fan X. W.
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提交时间:2012/10/21