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局域表面等离激元共振增强硅蓝光波段吸收特性研究（英文） 期刊论文
中国光学, 2020, 卷号: 13, 期号: 06, 页码: 1362-1384
作者:  王浩冰;  陶金;  吕金光;  孟德佳;  李阳;  赵永周;  王家先;  张军;  秦余欣;  王惟彪;  梁静秋
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局域表面等离激元  硅  蓝光  吸收率  有限时域差分法  
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
Absorption enhancement of silicon via localized surface plasmons resonance in blue band 期刊论文
Chinese Optics, 2020, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1362-1384
作者:  H.-B. Wang, J. Tao, J.-G. Lv, D.-J. Meng, Y. Li, Y.-Z. Zhao, J.-X. Wang, J. Zhang, Y.-X. Qin, W.-B. Wang and J.-Q. Liang
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AlGaN-based UV-C distributed Bragg reflector with a -cavity designed for an external cavity structure electron-beam-pumped VCSEL 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 820
作者:  Y. R. Chen, Z. W. Zhang, G. Q. Miao, H. Jiang, Z. M. Li and H. Song
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Anisotropic optical phonons in MOCVD grown Si-doped GaN/Sapphire epilayers 期刊论文
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, 2020, 卷号: 260, 页码: 10
作者:  D. N. Talwar, H. H. Lin and Z. C. Feng
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Carrier Dynamic Investigations of AlGaInAs Quantum Well Revealed by Temperature-Dependent Time-Resolved Photoluminescence 期刊论文
Materials, 2020, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 10
作者:  Y. Song,Y. Y. Chen,L. G. Zhang,Y. G. Zeng,C. Qiu,L. Liang,Y. X. Lei,P. Jia,L. Qin,Y. Q. Ning and L. J. Wang
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Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6
作者:  C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li
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Epitaxial growth of polarization-graded AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors on pre-grown AlN templates 期刊论文
Materials Letters, 2020, 卷号: 281, 页码: 4
作者:  Y. R. Chen,Z. W. Zhang,G. Q. Miao,H. Jiang,Z. M. Li and H. Song
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AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 期刊论文
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 12, 页码: 319-327
作者:  刘博阳;  宋文涛;  刘争晖;  孙晓娟;  王开明;  王亚坤;  张春玉;  陈科蓓;  徐耿钊;  徐科;  黎大兵
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铝镓氮  相分离  扫描开尔文探针显微术  荧光光谱  
Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:  X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
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