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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Passive Q-switched Solid-state Nd: YAG Laser Based on Ultrathin MoS2 Saturable Absorber
期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 668-673
作者:
X.-P. Fu
;
X.-H. Fu
;
C. Yao
;
F. Yang
;
J. Zhang
;
H.-Y. Peng
;
L. Qin and Y.-Q. Ning
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提交时间:2022/06/13
Optoelectronic Performance of 2D WSe2 Field Effect Transistor
期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2021, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 257-263
作者:
F.-L. Xia
;
K.-X. Shi
;
D.-X. Zhao
;
Y.-P. Wang
;
Y. Fan and J.-H. Li
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提交时间:2022/06/13
核电池概述及展望
期刊论文
原子核物理评论, 2020, 卷号: 37, 期号: 04, 页码: 875-892
作者:
李潇祎
;
陆景彬
;
郑人洲
;
许旭
;
王宇
;
刘玉敏
;
何瑞
;
梁磊
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提交时间:2021/07/06
核电池
放射源
辐射伏特效应
自吸收
辐射损伤
电学性能
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件
期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:
贲建伟
;
孙晓娟
;
蒋科
;
陈洋
;
石芝铭
;
臧行
;
张山丽
;
黎大兵
;
吕威
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AlGaN基材料
外延生长
掺杂
紫外发光器件
紫外探测
Fast and High Quality Composite Processing Method for Silicon Carbide Wafers
期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2020, 卷号: 40, 期号: 13
作者:
C. Yang,F. Li,T. Ren,Y. Wei and Y. Bai
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大功率半导体激光器抗腔面灾变性光学损伤技术综述
期刊论文
半导体光电, 2020, 卷号: 41, 期号: 05, 页码: 618-626
作者:
宋悦
;
宁永强
;
秦莉
;
陈泳屹
;
张金龙
;
张俊
;
王立军
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大功率半导体激光器
腔面灾变性光学损伤
输出功率
可靠性
Research Progress on Near-Infrared High-Power Laser Damage of Liquid Crystal Optical Devices
期刊论文
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2020, 卷号: 47, 期号: 1, 页码: 14
作者:
X. Liu,L. Peng,Y. Zhao,X. Wang,D. Li and J. Shao
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提交时间:2021/07/06
Ion implantation isolation based micro-light-emitting diode device array properties
期刊论文
Acta Physica Sinica, 2020, 卷号: 69, 期号: 2, 页码: 7
作者:
C. H. Gao,F. Xu,L. Zhang,D. S. Zhao,X. Wei,L. J. Che,Y. Z. Zhuang,B. S. Zhang and J. Zhang
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提交时间:2021/07/06
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development
期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
X.-H.Xie
;
B.-H.Li
;
Z.-Z.Zhang
;
L.Liu
;
K.-W.Liu
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C.-X.Shan
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提交时间:2020/08/24
Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide
点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战
期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16, 页码: 76-90
作者:
谢修华
;
李炳辉
;
张振中
;
刘雷
;
刘可为
;
单崇新
;
申德振
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提交时间:2020/08/24
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