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Ion implantation isolation based micro-light-emitting diode device array properties 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2020, 卷号: 69, 期号: 2, 页码: 7
作者:  C. H. Gao,F. Xu,L. Zhang,D. S. Zhao,X. Wei,L. J. Che,Y. Z. Zhuang,B. S. Zhang and J. Zhang
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Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
Study on the fabrication of gold electrode by laser assembling 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2014, 卷号: 63, 期号: 7, 页码: 5
作者:  Zhang R.;  Lu C.;  Xiao X. Z.;  Luo Y.;  He Y.;  Xu Y.
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Studies on synthesis of boron-doped Gem-diamond single crystals under high temperature and high presure 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2014, 卷号: 63, 期号: 19, 页码: 7
作者:  Xiao H. Y.;  Li S. S.;  Qin Y. K.;  Liang Z. Z.;  Zhang Y. S.;  Zhang D. M.
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Study on the compound film of diamond for absorbing radiation 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 8033-8038
作者:  Liang Z. Z.;  Liang J. Q.;  Zheng N.;  Jiang Z. G.;  Wang W. B.;  Fang W.
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Optical absorbance of diamond doped with nitrogen and the nitrogen concentration analysis 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 8039-8043
作者:  Liang Z. Z.;  Liang J. Q.;  Zheng N.;  Jia X. P.;  Li G. J.
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