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InGaAsP单量子阱激光器热特性研究 期刊论文
半导体光电, 2005, 期号: 04, 页码: 291-293
作者:  张永明;  钟景昌;  路国光;  秦莉
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单量子阱激光器  Inga As p  热特性  特征温度  
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器 期刊论文
半导体光电, 1999, 期号: 06, 页码: 388-389+392
作者:  高欣;  曲轶;  薄报学;  张宝顺;  张兴德
caj(33Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：485/88  |  提交时间：2013/03/11
半导体激光器  液相外延  分别限制单量子阱  特征温度