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四硼酸锂(Li_2B_4O_7)单晶的生长 期刊论文
人工晶体, 1989, 期号: 01, 页码: 30-34
作者:  刘星忠;  张顺兴
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Li_2b_4o_7:6210  四硼酸锂:6181  晶体生长:3462  降温速率:1637  单晶:1553  X射线:1465  基片材料:1309  生长速率:946  衍射图:900  生长条件:751  
温梯法生长晶体中参数分析 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 413
作者:  姜国经;  于长江;  刘景和;  杨魁胜;  韩立义
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温梯法:6351  参数分析:6100  生长晶体:3468  精密机械:1610  绝热层:1335  晶体生长技术:1216  氧化物晶体:1165  物理模型:1116  光学晶体:1006  方法特点:967  
壳层的形成与研究 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 227
作者:  姜国经;  于长江;  崔凤柱
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氟化物晶体:6654  壳层:3934  晶体生长:3029  中国科学院:2541  温度梯度:2468  工艺条件:2253  精密机械:2098  晶体相:1790  生长周期:1731  热历史:1681  
CaF_2晶体色心形成及物理性能 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 335
作者:  崔凤柱;  赵仁宁;  姜国经;  于长江
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物理性能:6063  Caf_2:5217  光学材料:3941  色心:2765  中国科学院:1820  激光晶体:1709  精密机械:1503  晶体缺陷:1222  晶体生长过程:1208  热释光:1173  
温梯法生长晶体中界面运动速度与坩埚下降速度间关系的讨论 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 413
作者:  杨魁胜;  韩立义;  李建利;  刘景和;  姜国经;  于长江
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温梯法:5473  生长晶体:4184  运动速度:3772  中界面:3471  下降速度:3315  精密机械:2331  影响因素:2132  晶体生长速度:1376  坩埚:1344  晶体生长过程:1250  
快速生长水溶晶体新方法——电渗析法 期刊论文
人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 262
作者:  惠博然
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电渗析法:5616  晶体生长设备:4585  快速生长:4570  新方法:4059  晶体生长过程:2043  电渗析器:1195  生长晶体:1155  控制电流:1062  阳离子交换膜:1008  水溶:981  
晶体生长方法及其选择 期刊论文
人工晶体, 1985, 期号: Z1, 页码: 239
作者:  刘景和;  乔茂友
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晶体生长:4902  方法分类:600  分类法:586  精密机械:503  学院:66  
提拉法生长晶体开裂的理论分析 期刊论文
人工晶体, 1984, 期号: 04, 页码: 281-287
作者:  刘景和;  乔茂友
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晶体开裂:8553  提拉法生长:2953  热应力:1895  轴向温度梯度:1753  晶体生长:1650  理论分析:1613  生长速率:1412  微裂纹:1314  固液界面:1216  化学应力:962