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Pressure-Induced Large Emission Enhancements of Cadmium Selenide Nanocrystals 期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 42, 页码: 13970-13975
作者:  Xiao, Guanjun;  Wang, Yingnan;  Han, Dong;  Li, Kexue;  Feng, Xiaolei;  Lv, Pengfei;  Wang, Kai;  Liu, Lei;  Redfern, Simon A. T.;  Zou, Bo
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cdse nanocrystals  molybdenum-disulfide  gold nanoclusters  quantum  dots  photoluminescence  phase  transformation  ligands  transition  wurtzite  Chemistry  
Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices 期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:  Liu, T.;  Xiang, D.;  Zheng, Y.;  Wang, Y. A.;  Wang, X. Y.;  Wang, L.;  He, J.;  Liu, L.;  Chen, W.
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homogeneous p-n junctions and inverters  MoTe2/BN heterostructures  nonvolatile and programmable  photodoping in MoTe2 devices  photoresist-free  transition-metal dichalcogenides  black phosphorus  mos2  wse2  inverters  graphene  diodes  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Achieving High-Performance Surface-Enhanced Raman Scattering through One-Step Thermal Treatment of Bulk MoS2 期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2018, 卷号: 122, 期号: 26, 页码: 14467-14473
作者:  Yang, D. D.;  Qiu, W.;  Chen, X. J.;  Liu, L.;  Lai, Y. J.;  Meng, Z. H.;  Song, J. P.;  Liu, Y. F.;  Liu, X. Y.;  Zhan, D.
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augmented-wave method  monolayer mos2  layer mos2  bilayer graphene  sers detection  hot-spots  films  molecules  photoluminescence  nanoparticles  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  
Structural and Electronic Properties of Inorganic Mixed Halide Perovskites 期刊论文
Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2018, 卷号: 12, 期号: 8, 页码: 6
作者:  Chen, X. J.;  Han, D.;  Su, Y.;  Zeng, Q. H.;  Liu, L.;  Shen, D. Z.
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band structure  density functional theory  inorganic mixed halide  perovskites  optical bowing parameter  cesium lead halide  light-emitting-diodes  total-energy calculations  effective masses  anion-exchange  nanocrystals  efficiency  cspbx3  photoluminescence  semiconductor  Materials Science  Physics  
2D Phosphorene_ Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices 期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 47, 页码: 11
作者:  Zhang, J. L.;  Han, C.;  Hu, Z. H.;  Wang, L.;  Liu, L.;  Wee, A. T. S.;  Chen, W.
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2D phosphorene  electronic devices  epitaxial growth  interface  engineering  layer black phosphorus  2-dimensional materials  band-gap  transport-properties  carrier mobility  blue phosphorus  graphene  surface  functionalization  semiconductors  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Two-dimensional multibit optoelectronic memory with broadband spectrum distinction 期刊论文
Nature Communications, 2018, 卷号: 9, 页码: 8
作者:  Xiang, D.;  Liu, T.;  Xu, J. L.;  Tan, J. Y.;  Hu, Z. H.;  Lei, B.;  Zheng, Y.;  Wu, J.;  Neto, A. H. C.;  Liu, L.;  Chen, W.
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plasmonic color filters  p-n-junctions  image sensor  monolayer mos2  boron-nitride  graphene  electronics  transistors  devices  chip  Science & Technology - Other Topics  
Bandgap engineering of Cu2CdxZn1-xSnS 4 alloy for photovoltaic applications: A complementary experimental and first-principles study 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 18
作者:  Xiao Z.-Y.;  Li Y.-F.;  Yao B.;  Deng R.;  Ding Z.-H.;  Wu T.;  Yang G.;  Li C.-R.;  Dong Z.-Y.;  Liu L.;  Zhang L.-G.;  Zhao H.-F.
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Spin-Orbit Splitting in Single-Layer MoS2 Revealed by Triply Resonant Raman Scattering 期刊论文
Physical Review Letters, 2013, 卷号: 111, 期号: 12
作者:  Sun L. F.;  Yan J. X.;  Zhan D.;  Liu L.;  Hu H. L.;  Li H.;  Tay B. K.;  Kuo J. L.;  Huang C. C.;  Hewak D. W.;  Lee P. S.;  Shen Z. X.
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Hydrogenation and disorder in engineered black TiO2 期刊论文
Physical Review Letters, 2013, 期号: 111
作者:  Liu L.;  Yu P. Y.;  Chen X.;  Mao S. S.;  Shen D. Z.
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Effects of magnesium on phosphorus chemical states and p-type conduction behavior of phosphorus-doped ZnO films 期刊论文
Journal of Chemical Physics, 2013, 卷号: 138, 期号: 3
作者:  Li J.;  Li Y.;  Yao B.;  Xu Y.;  Long S.;  Liu L.;  Zhang Z.;  Zhang L.;  Zhao H.;  Shen D.
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