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High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes 期刊论文
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9077-9082
作者:  Han, W. Y.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Chen, Y. R.;  Song, H.;  Miao, G. Q.;  Fan, F.;  Chen, H. F.;  Liu, Z.;  Jiang, H.
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p-i-n  photodetectors  template  films  Engineering  Materials Science  Physics  
The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD 期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Jiang, H.;  Li, Z. M.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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threading dislocations  nucleation layer  gan  temperature  sapphire  Materials Science  Physics  
The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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AlGaN  inserted layers  p-i-n structures  ultraviolet photodetectors  suppression  diodes  Materials Science  Physics  
Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet detector 期刊论文
Applied physics letters, 2011, 期号: 26, 页码: 000000-1
作者:  Li DB(黎大兵);  Sun XJ(孙晓娟);  Song H(宋航);  Li ZM(李志明);  Jiang H(蒋红);  Chen YR(陈一仁);  Mou GQ(缪国庆)
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Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured… 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:  黎大兵;  宋航
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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As… 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  黎大兵;  孙晓娟;  陈一仁;  李志明
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Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality… 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  黎大兵;  孙晓娟;  陈一仁
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