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The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD 期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Jiang, H.;  Li, Z. M.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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threading dislocations  nucleation layer  gan  temperature  sapphire  Materials Science  Physics  
Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As… 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  黎大兵;  孙晓娟;  陈一仁;  李志明
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal… 期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1, 页码: 011108-1
作者:  黎大兵;  孙晓娟;  宋航;  李志明;  陈一仁;  缪国庆;  蒋红
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Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality… 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  黎大兵;  孙晓娟;  陈一仁
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