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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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中科院长春光机所知识... [2]
作者
黎大兵 [1]
孙晓娟 [1]
文献类型
期刊论文 [25]
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2019 [27]
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发表日期:2019
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AlN材料中缺陷调控及物性研究
学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
贲建伟
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提交时间:2020/08/24
AlN
表面/界面
MOCVD
高温热处理
折射率
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究
学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
蒋科
caj(9945Kb)
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提交时间:2020/08/24
AlN
AlGaN
类同质外延
日盲紫外探测器
Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14, 期号: 1
作者:
Ben,Jianwei
;
Sun,Xiaojuan
;
Jia,Yuping
;
Jiang,Ke
;
Shi,Zhiming
;
Wu,You
;
Kai,Cuihong
;
Wang,Yong
;
Luo,Xuguang
;
Feng,Zhe Chuan
;
Li,Dabing
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浏览/下载:288/0
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提交时间:2019/08/21
Refractive index
AlN
Threading dislocation density
Nanoscale strain field around dislocations
Monolithic integration of MoS2-based visible detectors and GaN-based UV detectors
期刊论文
Photonics Research, 2019, 卷号: 7, 期号: 10, 页码: 1127-1133
作者:
Y.Wu
;
Z.Li
;
K.-W.Ang
;
Y.Jia
;
Z.Shi
;
Z.Huang
;
W.Yu
;
X.Sun
;
X.Liu
;
D.Li
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浏览/下载:144/50
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提交时间:2020/08/24
Monolithic integrated circuits,Chemical vapor deposition,Gallium nitride,III-V semiconductors,Integration,Layered semiconductors,Military applications,Molybdenum compounds,Optical communication,Photodetectors,Photons,Wide band gap semiconductors
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development
期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
X.-H.Xie
;
B.-H.Li
;
Z.-Z.Zhang
;
L.Liu
;
K.-W.Liu
;
C.-X.Shan
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浏览/下载:129/26
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提交时间:2020/08/24
Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide
286 nm monolithic multicomponent system
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 5
作者:
J.L.Yuan
;
Y.Jiang
;
Z.Shi
;
X.M.Gao
;
Y.J.Wang
;
X.J.Sun
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提交时间:2020/08/24
light-emitting-diodes,integration,photodetectors,photonics,algan,leds,Physics
High-power and reliable GaN-based vertical light-emitting diodes on 4-inch silicon substrate
期刊论文
Optics Express, 2019, 卷号: 27, 期号: 20, 页码: A1506-A1516
作者:
S.J.Zhou
;
H.H.Xu
;
B.Tang
;
Y.C.Liu
;
H.Wan
;
J.H.Miao
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浏览/下载:95/38
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提交时间:2020/08/24
wall-plug efficiency,extraction efficiency,enhancement,titanium,contact,stress,layer,films,Optics
Mode splitting revealed by Fano interference
期刊论文
Photonics Research, 2019, 卷号: 7, 期号: 6, 页码: 647-651
作者:
Y.Wang
;
H.C.Zhao
;
Y.C.Li
;
F.F.Shu
;
M.B.Chi
;
Y.Xu
;
Y.H.Wu
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浏览/下载:128/43
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提交时间:2020/08/24
Single,nanoparticles,resonances,Optics
High-Power GaN-Based Vertical Light-Emitting Diodes on 4-Inch Silicon Substrate
期刊论文
Nanomaterials, 2019, 卷号: 9, 期号: 8, 页码: 10
作者:
Q.Zhao
;
J.H.Miao
;
S.J.Zhou
;
C.Q.Gui
;
B.Tang
;
M.L.Liu
Adobe PDF(2541Kb)
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浏览/下载:117/53
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提交时间:2020/08/24
VLED,silicon substrate,current spreading,Au-In eutectic bonding,laser lift-off,lift-off,leds,enhancement,fabrication,performance,sapphire,Science & Technology - Other Topics,Materials Science
Improvement in Light Output of Ultraviolet Light-Emitting Diodes with Patterned Double-Layer ITO by Laser Direct Writing
期刊论文
Nanomaterials, 2019, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 9
作者:
J.Zhao
;
X.H.Ding
;
J.H.Miao
;
J.F.Hu
;
H.Wan
;
S.J.Zhou
Adobe PDF(3485Kb)
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浏览/下载:125/43
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提交时间:2020/08/24
UV LEDs,double-layer ITO,pinhole pattern,current spreading,light,output power,thin-films,transparent,electrodes,efficiency,leds,surface,blue,inactivation,enhancement,irradiation,Science & Technology - Other Topics,Materials Science