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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent system
期刊论文
LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2018, 卷号: 7, 页码: 7
作者:
Wang, Yongjin
;
Wang, Xin
;
Zhu, Bingcheng
;
Shi, Zheng
;
Yuan, Jialei
;
Gao, Xumin
;
Liu, Yuhuai
;
Sun, Xiaojuan
;
Li, Dabing
;
Amano, Hiroshi
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提交时间:2019/08/26
si substrate
diode
integration
electron
devices
Optics
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:
Jiang, K.
;
Sun, X. J.
;
Ben, J. W.
;
Jia, Y. P.
;
Liu, H. N.
;
Wang, Y.
;
Wu, Y.
;
Kai, C. H.
;
Li, D. B.
Adobe PDF(4418Kb)
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浏览/下载:382/125
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提交时间:2019/09/17
light-emitting-diodes
screw dislocations
threading dislocations
phase
epitaxy
gan
films
algan
core
edge
generation
Chemistry
Crystallography
Room-temperature electrically pumped InGaN-based microdisk laser grown on Si
期刊论文
Optics Express, 2018, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5043-5051
作者:
Feng, M. X.
;
He, J. L.
;
Sun, Q.
;
Gao, H. W.
;
Li, Z. C.
;
Zhou, Y.
;
Liu, J. P.
;
Zhang, S. M.
;
Li, D. Y.
;
Zhang, L. Q.
;
Sun, X. J.
;
Li, D. B.
;
Wang, H. B.
;
Ikeda, M.
;
Wang, R. X.
;
Yang, H.
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浏览/下载:340/112
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提交时间:2019/09/17
high-power
gan
diodes
Optics
High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes
期刊论文
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9077-9082
作者:
Han, W. Y.
;
Zhang, Z. W.
;
Li, Z. M.
;
Chen, Y. R.
;
Song, H.
;
Miao, G. Q.
;
Fan, F.
;
Chen, H. F.
;
Liu, Z.
;
Jiang, H.
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浏览/下载:428/125
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提交时间:2019/09/17
p-i-n
photodetectors
template
films
Engineering
Materials Science
Physics
The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:
Chen, Y. R.
;
Zhang, Z. W.
;
Jiang, H.
;
Li, Z. M.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
Adobe PDF(4100Kb)
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浏览/下载:389/134
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提交时间:2019/09/17
threading dislocations
nucleation layer
gan
temperature
sapphire
Materials Science
Physics
Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si
期刊论文
Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:
Feng, M. X.
;
Li, Z. C.
;
Wang, J.
;
Zhou, R.
;
Sun, Q.
;
Sun, X. J.
;
Li, D. B.
;
Gao, H. W.
;
Zhou, Y.
;
Zhang, S. M.
;
Li, D. Y.
;
Zhang, L. Q.
;
Liu, J. P.
;
Wang, H. B.
;
Ikeda, M.
;
Zheng, X. H.
;
Yang, H.
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浏览/下载:351/113
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提交时间:2019/09/17
AlGaN
near-ultraviolet
laser
Si substrate
stress
defect
light-emitting-diodes
gan
efficiency
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Optics
Physics
A highly efficient and thermally stable green phosphor (Lu2SrAl4SiO12Ce3+) for full-spectrum white LEDs
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 45, 页码: 12159-12163
作者:
Xiao, Y.
;
Xiao, W. G.
;
Zhang, L. L.
;
Hao, Z. D.
;
Pan, G. H.
;
Yang, Y.
;
Zhang, X.
;
Zhang, J. H.
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浏览/下载:249/96
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提交时间:2019/09/17
photoluminescence properties
luminescence properties
structural
rigidity
garnet phosphor
temperature
state
Materials Science
Physics
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
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浏览/下载:405/128
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提交时间:2019/09/17
Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering
Effect of Dielectric Distributed Bragg Reflector on Electrical and Optical Properties of GaN-Based Flip-Chip Light-Emitting Diodes
期刊论文
Micromachines, 2018, 卷号: 9, 期号: 12, 页码: 9
作者:
Zhou, S. J.
;
Xu, H. H.
;
Liu, M. L.
;
Liu, X. T.
;
Zhao, J.
;
Li, N.
;
Liu, S.
Adobe PDF(2744Kb)
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浏览/下载:358/140
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提交时间:2019/09/17
flip-chip light-emitting diodes
distributed Bragg reflector
light
output power
external quantum efficiency
quantum-well
p-type
leds
performance
wavelength
contacts
ito/dbr
laser
power
fabrication
Science & Technology - Other Topics
Instruments & Instrumentation
Hot carriers induced quenching of defects luminescence in Si doped AlN with Al core
期刊论文
Journal of Luminescence, 2018, 卷号: 198, 页码: 178-182
作者:
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Shen, D. Z.
Adobe PDF(628Kb)
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浏览/下载:231/88
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提交时间:2019/09/17
molecular-beam epitaxy
plasmon
Optics