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Doping in the two-dimensional limit: p/n-type defects in monolayer ZnO 期刊论文
Physical Review B, 2022, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: 7
作者:  D. Han;  X. B. Li;  D. Wang;  N. K. Chen and X. W. Fan
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Annihilation mechanism of excitons in a MoS2 monolayer through direct Forster-type energy transfer and multistep diffusion 期刊论文
Physical Review B, 2020, 卷号: 101, 期号: 19, 页码: 9
作者:  K. J. Lee, W. Xin and C. L. Guo
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Exciton dynamics in two-dimensional MoS2 on a hyperbolic metamaterial-based nanophotonic platform 期刊论文
Physical Review B, 2020, 卷号: 101, 期号: 4, 页码: 6
作者:  K. J. Lee,W. Xin,C. Fann,X. L. Ma,F. Xing,J. Liu,J. H. Zhang,M. Elkabbash and C. L. Guo
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Charged defects in two-dimensional semiconductors of arbitrary thickness and geometry: Formulation and application to few-layer black phosphorus 期刊论文
Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 15
作者:  Wang, D.;  D. Han;  X. B. Li;  N. K. Chen;  D. West;  V. Meunier;  S. B. Zhang and H. B. Sun
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