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宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
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Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
N掺杂MgZnO薄膜的光电性质 期刊论文
发光学报, 2019, 卷号: 40, 期号: 08, 页码: 956-960
作者:  赵鹏程;  张振中;  姚斌;  李炳辉;  李贤丽
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分子束外延  MgZnO薄膜  光电性质  
扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究 期刊论文
光谱学与光谱分析, 2015, 期号: 07, 页码: 1787-1790
作者:  陈芳;  房丹;  王双鹏;  方铉;  唐吉龙;  赵海峰;  方芳;  楚学影;  李金华;  王菲;  王晓华;  刘国军;  马晓辉;  魏志鹏
caj(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：352/121  |  提交时间：2016/07/06
扩散掺杂  P型zno  P掺杂  原子层沉积  光致发光  
Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  孙华山
Adobe PDF(4306Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：320/1  |  提交时间：2015/05/03
Mgzno薄膜  紫外探测器  Au电极  厚度  
基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  胡光冲
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Mgzno  深紫外  等离子体  Mocvd  
硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 7, 页码: 795-799
作者:  赵鹏程;  张振中;  姚斌;  李炳辉;  王双鹏;  姜明明;  赵东旭;  单崇新;  刘雷;  申德振
caj(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：431/142  |  提交时间：2015/04/17
Zno  B/n共掺  P型掺杂  
Ag表面等离子体四极子增强型MgZnO紫外探测器的设计制备及其特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈洪宇
Adobe PDF(13658Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：760/1  |  提交时间：2014/08/21
氧化锌基激光器件的设计、制备与特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  倪佩楠
Adobe PDF(13527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：386/2  |  提交时间：2014/08/21
稳定的锂氮共掺杂p型氧化锌及其光电器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  申赫
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