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Studies on 0.96 and 0.84 eV photoluminescence emissions in GaAs epilayers grown on Si 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 7173-7176
作者:  Liang J. C.;  Jiang J. H.;  Zhao J. L.;  Gao Y.
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