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Growth and characterization of InAs-rich GaInAsSb alloys on GaSb substrates by MOCVD 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 1—2, 页码: 39-43
作者:  Ning Y. Q.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Li S. W.;  Yuan G.;  Tian Y.;  Jin Y. X.
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Growth of GaSb-rich and InAs-rich GaInAsSb alloys on GaSb substrates by MOCVD 期刊论文
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 1998, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 121-125
作者:  Ning Y. Q.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Li S. W.;  Yuan G. A.;  Tian Y. A.;  Jin Y. X.
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