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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Photoluminescence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 10, 页码: 2906-2909
作者:
Li D. B.
;
Ma B.
;
Miyagawa R.
;
Hu W. G.
;
Narukawa M.
;
Miyake H.
;
Hiramatsu K.
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提交时间:2012/10/21
Effect of buffer thickness on properties of In0.8Ga0.2As/InP with two-step growth technique
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 472, 期号: 1—2, 页码: 587-590
作者:
Zhang T. M.
;
Miao G. Q.
;
Jin Y. X.
;
Yu S. Z.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
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提交时间:2012/10/21
A study of two-step growth and properties of In0.82Ga0.18As on InP
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 4—5, 页码: 156-160
作者:
Zhang T. M.
;
Miao G. G.
;
Jin Y. X.
;
Yu S. Z.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Song H.
Adobe PDF(343Kb)
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提交时间:2012/10/21
In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN
期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
作者:
Hu W. G.
;
Ma B.
;
Li D. B.
;
Miyake H.
;
Hiramatsu K.
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提交时间:2012/10/21