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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G.;  Jiang H.;  Cao L.;  Sun X.;  Li D.;  Chen Y.;  Li Z.
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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：823/151  |  提交时间：2012/10/21
Three-photon upconversion luminescence phenomenon for the green levels in Er3+/Yb3+ codoped cubic nanocrystalline yttria 期刊论文
Solid State Communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 6, 页码: 409-413
作者:  Song H. W.;  Sun B. J.;  Wang T.;  Lu S. Z.;  Yang L. M.;  Chen B. J.;  Wang X. J.;  Kong X. G.
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