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Effects of distance between wells on band structure and characteristics of InGaAs/InGaAsP strain-compensated multiple quantum well lasers 期刊论文
Solid-State Electronics, 2000, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 2123-2129
作者:  Ma C. S.;  Wang L. J.;  Liu S. Y.
Adobe PDF(233Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：464/118  |  提交时间：2012/10/21