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Research on activation mechanism of AlGaN photocathodes in an ultra-high vacuum system 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2020, 卷号: 118, 页码: 5
作者:  G. H. Tang,F. Yan and X. L. Chen
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A study of two-step growth and properties of In0.82Ga0.18As on InP 期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 4—5, 页码: 156-160
作者:  Zhang T. M.;  Miao G. G.;  Jin Y. X.;  Yu S. Z.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
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