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Single beta-Ga2O3 microbelt solar-blind photodetector with high specific detectivity, high rejection ratio and fast speed 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 36, 页码: 8
作者:  Z. Y. Zheng;  K. W. Liu;  Z. Cheng;  B. S. Qiao;  X. Chen;  C. Zhou;  J. L. Yang;  Q. Ai;  Y. X. Zhu;  B. H. Li;  L. Liu and D. Z. Shen
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Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6
作者:  C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li
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Back-to-back asymmetric Schottky-type self-powered UV photodetector based on ternary alloy MgZnO 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2019, 卷号: 52, 期号: 50, 页码: 6
作者:  H.Y.Chen;  X.Y.Sun;  D.S.Yao;  X.H.Xie;  F.C.C.Ling;  S.C.Su
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MgZnO,UV PD,self-powered,asymmetric electrodes,ultraviolet photodetector,high responsivity,Physics  
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.
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zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics